AP65N03NF 30V n沟道增强模式MOSFET 永源微一级代理

发布日期:2025-12-18 00:35    点击次数:158

描述

AP65N03NF采用先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON),低栅极电荷和工作电压低至4.5V。这该装置适合作为电池保护装置使用或其它开关应用。

一般特征

Vds = 30v id = 65a

RDS(ON) < 5.5mΩ @ VGS=10V(类型:4.0mΩ)

应用程序

电池保护

负荷开关

不间断电源

发布于:广东省